模擬電子技術(shù)以晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等電子器件為基礎(chǔ),以單元電路、集成電路的分析和設(shè)計(jì)為主導(dǎo),研究各種不同電路的結(jié)構(gòu)、工作原理、參數(shù)分析及應(yīng)用。
一、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)
1、模擬信號(hào)
我們將連續(xù)性的信號(hào)稱為模擬信號(hào),而將離散型的信號(hào)稱為數(shù)字信號(hào)。
2、模擬電路
模擬電路是對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行處理的電路,其最基本的處理是對(duì)信號(hào)的放大,含有功能和性能各異的放大電路。
二、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)- -電子信息系統(tǒng)的組成
電子信息系統(tǒng)由信號(hào)的提取、信號(hào)的預(yù)處理、信號(hào)的加工和信號(hào)的驅(qū)動(dòng)與執(zhí)行四部分構(gòu)成,如下圖所示。
三、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)
1、基本概念
導(dǎo)體:極易導(dǎo)電的物體;
絕緣體:幾乎不導(dǎo)電的物體;
半導(dǎo)體:導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì);
2、本征半導(dǎo)體
共價(jià)鍵:在硅和鍺的結(jié)構(gòu)中,每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵,共用一對(duì)價(jià)電子;
自由電子:由于熱運(yùn)動(dòng),具有足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子;
空穴:由于自由電子的產(chǎn)生,使得共價(jià)鍵中產(chǎn)生的空位置;
復(fù)合:自由電子與空穴相碰同時(shí)消失的現(xiàn)象;
載流子:運(yùn)載電荷的粒子;
導(dǎo)電機(jī)理:在本征半導(dǎo)體中,電流包括兩部分,一部分是自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流,另一部分是由空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流,因此,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高,載流子濃度越高,本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力越強(qiáng)。
3、本征半導(dǎo)體
共價(jià)鍵:在硅和鍺的結(jié)構(gòu)中,每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵,共用一對(duì)價(jià)電子;
自由電子:由于熱運(yùn)動(dòng),具有足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子;
空穴:由于自由電子的產(chǎn)生,使得共價(jià)鍵中產(chǎn)生的空位置;
復(fù)合:自由電子與空穴相碰同時(shí)消失的現(xiàn)象;
載流子:運(yùn)載電荷的粒子;
導(dǎo)電機(jī)理:在本征半導(dǎo)體中,電流包括兩部分,一部分是自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流,另一部分是由空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流,因此,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高,載流子濃度越高,本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力越強(qiáng)。
四、課程特色:
以實(shí)際材料為例,迅速講解相關(guān)知識(shí),舉例大量的實(shí)際電路知識(shí),圖示性強(qiáng)。能使人很清晰的看懂知識(shí)點(diǎn)。
第一章:直流穩(wěn)壓電源的制作與調(diào)試(第1-12課時(shí))
第二章:分立元件放大電路分析與調(diào)試(第12-30課時(shí))
第三章:集成運(yùn)算放大器基礎(chǔ)及負(fù)反饋電路(第31-37課時(shí))
第四章:集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用(第38-49課時(shí))
第五章:功率放大電路(第50-58課時(shí))
第六章:正弦波振蕩電路(第59-63課時(shí))
第七章:光電子器件及其應(yīng)用(第64-68課時(shí))
第八章:晶閘管及其應(yīng)用電路(第69-76課時(shí))
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