模擬電子技術(shù)以晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等電子器件為基礎(chǔ)，以單元電路、集成電路的分析和設(shè)計(jì)為主導(dǎo)，研究各種不同電路的結(jié)構(gòu)、工作原理、參數(shù)分析及應(yīng)用。

　　一、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

　　1、模擬信號(hào)

　　我們將連續(xù)性的信號(hào)稱為模擬信號(hào)，而將離散型的信號(hào)稱為數(shù)字信號(hào)。

　　2、模擬電路

　　模擬電路是對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行處理的電路，其最基本的處理是對(duì)信號(hào)的放大，含有功能和性能各異的放大電路。

　　二、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)- -電子信息系統(tǒng)的組成

　　電子信息系統(tǒng)由信號(hào)的提取、信號(hào)的預(yù)處理、信號(hào)的加工和信號(hào)的驅(qū)動(dòng)與執(zhí)行四部分構(gòu)成，如下圖所示。

　　三、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

　　1、基本概念

　　導(dǎo)體：極易導(dǎo)電的物體;

　　絕緣體：幾乎不導(dǎo)電的物體;

　　半導(dǎo)體：導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì);

　　2、本征半導(dǎo)體

　　共價(jià)鍵：在硅和鍺的結(jié)構(gòu)中，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子;

　　自由電子：由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子;

　　空穴：由于自由電子的產(chǎn)生，使得共價(jià)鍵中產(chǎn)生的空位置;

　　復(fù)合：自由電子與空穴相碰同時(shí)消失的現(xiàn)象;

　　載流子：運(yùn)載電荷的粒子;

　　導(dǎo)電機(jī)理：在本征半導(dǎo)體中，電流包括兩部分，一部分是自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流，另一部分是由空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流，因此，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子濃度越高，本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力越強(qiáng)。

　　3、本征半導(dǎo)體

　　共價(jià)鍵：在硅和鍺的結(jié)構(gòu)中，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子;

　　自由電子：由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛的價(jià)電子;

　　空穴：由于自由電子的產(chǎn)生，使得共價(jià)鍵中產(chǎn)生的空位置;

　　復(fù)合：自由電子與空穴相碰同時(shí)消失的現(xiàn)象;

　　載流子：運(yùn)載電荷的粒子;

　　導(dǎo)電機(jī)理：在本征半導(dǎo)體中，電流包括兩部分，一部分是自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流，另一部分是由空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流，因此，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子濃度越高，本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力越強(qiáng)。

　　四、課程特色：

　　以實(shí)際材料為例，迅速講解相關(guān)知識(shí)，舉例大量的實(shí)際電路知識(shí)，圖示性強(qiáng)。能使人很清晰的看懂知識(shí)點(diǎn)。

　　第一章：直流穩(wěn)壓電源的制作與調(diào)試(第1-12課時(shí))

　　第二章：分立元件放大電路分析與調(diào)試(第12-30課時(shí))

　　第三章：集成運(yùn)算放大器基礎(chǔ)及負(fù)反饋電路(第31-37課時(shí))

　　第四章：集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用(第38-49課時(shí))

　　第五章：功率放大電路(第50-58課時(shí))

　　第六章：正弦波振蕩電路(第59-63課時(shí))

　　第七章：光電子器件及其應(yīng)用(第64-68課時(shí))

　　第八章：晶閘管及其應(yīng)用電路(第69-76課時(shí))

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