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材料科學(xué)與工程期末考試復(fù)習(xí)試題
無論在學(xué)習(xí)或是工作中，只要有考核要求，就會(huì)有練習(xí)題，只有認(rèn)真完成作業(yè)，積極地發(fā)揮每一道習(xí)題特殊的功能和作用，才能有效地提高我們的思維能力，深化我們對(duì)知識(shí)的理解。你知道什么樣的習(xí)題才是規(guī)范的嗎？下面是小編精心整理的材料科學(xué)與工程期末考試復(fù)習(xí)試題，僅供參考，歡迎大家閱讀。
材料科學(xué)與工程期末考試復(fù)習(xí)試題 1
一、填空題(20分，每空格1分)
1. 相律是在完全平衡狀態(tài)下，系統(tǒng)的相數(shù)、組元數(shù)和溫度壓力之間的關(guān)系，是系統(tǒng)的平衡條件的數(shù)學(xué)表達(dá)式： f=C-P+2
2.二元系相圖是表示合金系中合金的間關(guān)系的圖解。
3.晶體的空間點(diǎn)陣分屬于 大晶系，其中正方晶系點(diǎn)陣常數(shù)的特點(diǎn)為，請(qǐng)列舉除立方和正方晶系外其他任意三種晶系的名稱交（任選三種）。
4.合金鑄錠的宏觀組織包括三部分。
5．在常溫和低溫下，金屬的塑性變形主要是通過 的方式進(jìn)行的。此外還有 和 折等方式。
6.成分過冷區(qū)從小到大，其固溶體的生長形態(tài)分別為 。
1．原子擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力是：組元的化學(xué)勢(shì)梯度
2．凝固的熱力學(xué)條件為：過冷度
3. 某金屬凝固時(shí)的形核功為△G*，其臨界晶核界面能為△G，則△G*和△G的關(guān)系為△G* =1/3 △G
5．金屬液體在凝固時(shí)產(chǎn)生臨界晶核半徑的大小主要取決于過冷度。
6．菲克第一定律表述了穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征，即濃度不隨變化。
7. 冷變形金屬加熱過程中發(fā)生回復(fù)的驅(qū)動(dòng)力是：冷變形過程中的存儲(chǔ)能
9.合金鑄錠的缺陷可分為縮孔和偏析兩種。
二、判斷題（正確的打“√”錯(cuò)誤的打“×”，每題1分，共12分）
1. 體心立方結(jié)構(gòu)是原子的次密排結(jié)構(gòu)，其致密度為0.74。（ × ）
2. 同一種空間點(diǎn)陣可以有無限種晶體結(jié)構(gòu)，而不同的晶體結(jié)構(gòu)可以歸屬于同一種空間點(diǎn)陣。 （ √ ）
3. 結(jié)晶時(shí)凡能提高形核率、降低生長率的因素，都能使晶粒細(xì)化。 （ √ ）
4. 合金液體在凝固形核時(shí)需要能量起伏、結(jié)構(gòu)起伏和成分起伏。 （ √ ）
5. 小角度晶界的晶界能比大角度晶界的晶界能高。（ × ）
6. 非均勻形核時(shí)晶核與基底之間的接觸角越大，其促進(jìn)非均勻形核的作用越大。（ × ）
7. 固溶體合金液體在完全混合條件下凝固后產(chǎn)生的宏觀偏析較小。 （ × ）
8. 冷形變金屬在再結(jié)晶時(shí)可以亞晶合并、亞晶長大和原晶界弓出三種方式形核。（ √ ）
9. 動(dòng)態(tài)再結(jié)晶是金屬材料在較高溫度進(jìn)行形變加工同時(shí)發(fā)生的再結(jié)晶、其形變硬化與再結(jié)晶軟化交替進(jìn)行。 （ √ ）
10. 金屬-非金屬型共晶具有粗糙-光滑型界面，所以它們多為樹枝狀、針狀或螺旋狀形態(tài)。 （ √ ）
11. 孿生變形的速度很快是因?yàn)榻饘僖詫\生方式變形時(shí)需要的臨界分切應(yīng)力小。（ × ）
12. 相圖的相區(qū)接觸法則是相鄰相區(qū)相數(shù)差1。（ √ ）
三、簡答題（28分）
1. 試述孿生和滑移的異同，比較它們?cè)谒苄赃^程中的作用。（10分）
答：相同點(diǎn)：
a.宏觀上，都是切應(yīng)力作用下發(fā)生的剪切變形； （1分）
b. 微觀上，都是晶體塑性變形的基本形式，是晶體一部分沿一定晶面和晶向相對(duì)另一部分的移動(dòng)過程；（1分）
c. 不改變晶體結(jié)構(gòu)。 （1分）
不同點(diǎn)：
a. 晶體中的取向
滑移：晶體中已滑移部分與未滑移部分的位向相同。
孿生：已孿生部分和為孿生部分的位向不同，且兩者之間具有特定的位向關(guān)系。（1分）
b. 位移的量
滑移：沿滑移方向上原子間距的整倍數(shù)，且在一個(gè)滑移面上的總位移較大。
孿生：原子的位移小于孿生方向的原子間距，一般為孿生方向原子間距的1/n。（1分）
c. 變形方式
滑移：不均勻切變 孿生：均勻切變 （1分）
d. 對(duì)塑性變形的貢獻(xiàn)
滑移：對(duì)塑性變形的貢獻(xiàn)很大，即總變形量大。
孿生：對(duì)晶體塑性變形有限，即總變形量小。 （1分）
e. 變形應(yīng)力
滑移：有確定的臨界分應(yīng)力。
孿生：所需臨界分切應(yīng)力一般高于滑移所需的臨界分切應(yīng)力。 （1分）
f. 變形條件
滑移：一般情況先發(fā)生滑移變形
孿生：當(dāng)滑移變形難以進(jìn)行時(shí)，或晶體對(duì)稱性很低、變形溫度較低、加載速率較高時(shí)。 g. 變形機(jī)制
滑移：全位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的結(jié)果。 孿生：不全位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的結(jié)果。（1分）
2. 請(qǐng)簡述擴(kuò)散的微觀機(jī)制有哪些？影響擴(kuò)散的因素又有哪些？ （8分）
答：置換機(jī)制：包括空位機(jī)制和直接換位與環(huán)形換位機(jī)制，其中空位機(jī)制是主要機(jī)制，直接換位與環(huán)形換位機(jī)制需要的激活能很高，只有在高溫時(shí)才能出現(xiàn)。（2分）
間隙機(jī)制：包括間隙機(jī)制和填隙機(jī)制，其中間隙機(jī)制是主要機(jī)制。 （2分）
影響擴(kuò)散的主要因素有：溫度（溫度約高，擴(kuò)散速度約快）；晶體結(jié)構(gòu)與類型（包括致密度、固溶度、各向異性等）；晶體缺陷；化學(xué)成分（包括濃度、第三組元等）。（4分）
3. 簡述材料強(qiáng)化的主要方法、原理及工藝實(shí)現(xiàn)途徑。(10分)
1.答案：加工硬化：是隨變形使位錯(cuò)增殖而導(dǎo)致的硬化； (2分)
細(xì)晶強(qiáng)化：是由于晶粒減小，晶粒數(shù)量增多，尺寸減小，增大了位錯(cuò)連續(xù)滑移的阻力導(dǎo)致的強(qiáng)化；同時(shí)由于滑移分散，也使塑性增大。該強(qiáng)化機(jī)制是唯一的同時(shí)增大強(qiáng)度和塑性的機(jī)制。 彌散強(qiáng)化：又稱時(shí)效強(qiáng)化。是由于細(xì)小彌散的第二相阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的強(qiáng)化。包括切過機(jī)制和繞過機(jī)制。(2分)
復(fù)相強(qiáng)化：由于第二相的相對(duì)含量與基體處于同數(shù)量級(jí)是產(chǎn)生的強(qiáng)化機(jī)制。其強(qiáng)化程度取決于第二相的數(shù)量、尺寸、分布、形態(tài)等，且如果第二相強(qiáng)度低于基體則不一定能夠起到強(qiáng)化作用。(2分)
固溶強(qiáng)化：由于溶質(zhì)原子對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生阻礙。包括彈性交互作用、電交互作用和化學(xué)交互作用。 (2分)
分析位錯(cuò)的增值機(jī)制。（5分）
2. 答：若某滑移面上有一段刃位錯(cuò)AB，它的兩端被位錯(cuò)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)釘住不能運(yùn)動(dòng)。（1分）現(xiàn)沿位錯(cuò)b方向加切應(yīng)力，使位錯(cuò)沿滑移面向前滑移運(yùn)動(dòng)，形成一閉合的位錯(cuò)環(huán)和位錯(cuò)環(huán)內(nèi)的一小段彎曲位錯(cuò)線。（2分）只要外加應(yīng)力繼續(xù)作用，位錯(cuò)環(huán)便繼續(xù)向外擴(kuò)張，同時(shí)環(huán)內(nèi)的彎曲位錯(cuò)在線張力作用下又被拉直，恢復(fù)到原始狀態(tài)，并重復(fù)以前的運(yùn)動(dòng)，絡(luò)繹不絕地產(chǎn)生新的位錯(cuò)環(huán)，從而造成位錯(cuò)的增殖，并使晶體產(chǎn)生可觀的滑移量。（2分）
請(qǐng)簡述回復(fù)的機(jī)制及其驅(qū)動(dòng)力。
答：低溫機(jī)制：空位的消失 ； 中溫機(jī)制：對(duì)應(yīng)位錯(cuò)的滑移（重排、消失）；高溫機(jī)制：對(duì)應(yīng)多邊化（位錯(cuò)的滑移＋攀移）； 驅(qū)動(dòng)力：冷變形過程中的存儲(chǔ)能（主要是點(diǎn)陣畸變能）。
1. 為什么滑移面和滑移方向往往是金屬晶體中原子排列最密的晶面和晶向。
2. 什么是成分過冷？它對(duì)液固界面的形貌有何影響？
3. 對(duì)于金屬金屬型共晶，決定其形貌是片狀或棒狀的因素是什么？
1. 答案：因?yàn)樵用芏茸畲蟮木嫫涿骈g距最大，點(diǎn)陣阻力最小，因而容易沿著這些面發(fā)生滑移；滑移方向?yàn)樵用芏茸畲蟮姆较蚴怯捎谧蠲芘欧较蛏系脑娱g距最短，即位錯(cuò)b最小。
2. 答案：成分過冷：在合金的凝固過程中，由界面前沿液體中的實(shí)際溫度低于由溶質(zhì)分布所決定的凝固溫度時(shí)產(chǎn)生的過冷稱為成分過冷。它對(duì)液固界面的形貌影響為：成分過冷由小到大，液固界面的形貌由平面狀過渡到胞狀再到樹枝狀。
3答案：主要取決于兩個(gè)因素：（1）兩相的體積分?jǐn)?shù)，如果有一相的體積分?jǐn)?shù)小于27%時(shí)，則形成棒狀共晶，否則形成片狀共晶； （3分）（2）兩相之間的界面能，界面能小，則形成片狀共晶。一般情況下，當(dāng)兩相有固定的位向關(guān)系時(shí)則可能形成片狀共晶。
四、作圖與計(jì)算題（40分，每題10分）
1、氧化鎂（MgO）具有NaCl型結(jié)構(gòu)，即具有O2-離子的面心立方結(jié)構(gòu)。問：
（1）若其離子半徑rMg2=0.066nm，rO2＝0.140nm，則其原子堆積密度為多少？
rMg2r2（2）如果/O＝0.41，則原子堆積密度是否改變？[10]。
2、某面心立方晶體的可動(dòng)滑移系為(11)、
�。�1）請(qǐng)指出引起滑移的單位位錯(cuò)的柏氏矢量；
�。�2）若滑移由刃位錯(cuò)引起，試指出位錯(cuò)線的方向；
�。�3）請(qǐng)指出在（2）的情況下，位錯(cuò)線的運(yùn)動(dòng)方向；
（4） 假設(shè)在該滑移系上作用一大小為0.7MPa的切應(yīng)力，試計(jì)算單位刃位錯(cuò)線受力的大小和方向（取點(diǎn)陣常數(shù)為a＝0.2nm）。
3. 畫出Fe-Fe3C相圖，并根據(jù)Fe-Fe3C相圖，(1)分別求ω（C)=2.11%，ω（C)=4.30%的二次滲碳體的析出量。(2)畫出ω（C)=4.30%的冷卻曲線。
4. 圖(a)為固態(tài)互不溶解的三元共晶相圖的濃度三角形，其中三元共晶點(diǎn)E的成分為ω(A)=20%，ω(B)=30%，ω(C)=50%。圖(b)為某一溫度(高于TE)的水平截面圖。問：
(1)A，B和C三組元的熔點(diǎn)誰最低？
(2)若有一液態(tài)成分為ω(A)=60%，ω(B)=15%，ω(C)=25%的合金(其B/C成分比三元共晶合金相同)平衡凝固到室溫，試分析室溫平衡組織并畫出平衡冷卻曲線。
(3)計(jì)算該合金中共晶組織在鑄錠中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。
四、作圖與計(jì)算題（40分，每題10分）
1、氧化鎂（MgO）具有NaCl型結(jié)構(gòu)，即具有O2-離子的面心立方結(jié)構(gòu)。問：
（1）若其離子半徑rMg2=0.066nm，rO2＝0.140nm，則其原子堆積密度為多少？rMg2r2（2）如果/O＝0.41，則原子堆積密度是否改變？
答：（1）點(diǎn)陣常數(shù)a2(rMg2rO2)0.412nm （3分） 3(rMg2rO2)4Pf0.733a堆積密度 （3分）
�。�2）堆積密度會(huì)改變，因?yàn)镻f與兩異號(hào)離子半徑的比值有關(guān)。 （4分）
2、某面心立方晶體的可動(dòng)滑移系為(11)、
�。�1）請(qǐng)指出引起滑移的單位位錯(cuò)的柏氏矢量；
�。�2）若滑移由刃位錯(cuò)引起，試指出位錯(cuò)線的方向；
�。�3）請(qǐng)指出在（2）的情況下，位錯(cuò)線的運(yùn)動(dòng)方向；
�。�4） 假設(shè)在該滑移系上作用一大小為0.7MPa的切應(yīng)力，試計(jì)算單位刃位錯(cuò)線受力的大�。ㄈ↑c(diǎn)陣常數(shù)為a＝0.2nm）。
答：（1）柏氏矢量：； (2分)
�。�2）位錯(cuò)線方向：[112]； (2分)
�。�3）位錯(cuò)線運(yùn)動(dòng)方向平行于柏氏矢量；(2分)
11（4）Fb9.89910MN/m (4分)
3. 畫出Fe-Fe3C相圖，并根據(jù)Fe-Fe3C相圖，(1)分別求ω（C)=2.11%，ω（C)=4.30%的二次
滲碳體的析出量。(2)畫出ω（C)=4.30%的冷卻曲線。
材料科學(xué)與工程期末考試復(fù)習(xí)試題 2
1.材料是由物質(zhì)構(gòu)成的，因而物質(zhì)就是材料。 ×
2.材料是指用來制造某些有形物體的基本物質(zhì)。 √
3.按照化學(xué)組成，可以把材料分為三種基本類型
�。ˋ）金屬材料、硅酸鹽、有機(jī)高分子材料
（B）陶瓷材料、高分子材料、鋼鐵
（C）有機(jī)高分子材料、金屬材料、無機(jī)非金屬材料
�。―）有機(jī)材料、無機(jī)非金屬材料、金屬材料
C
4．在四個(gè)量子數(shù)中，ms是確定體系角動(dòng)量在磁場(chǎng)方向的分量（ml）�！�
5．在四個(gè)量子數(shù)中，ml決定電子自旋的方向（ms）�！�
6．在四個(gè)量子數(shù)中，n是第一量子數(shù)，它決定體系的能量�！�
7．在四個(gè)量子數(shù)中，l是第二量子數(shù)，它決定體系角動(dòng)量和電子幾率分布的空間對(duì)稱性�！�
8．原子中每個(gè)電子必須有獨(dú)自一組四個(gè)量子數(shù)。n,l,ml,ms√
9．泡利不相容原理、能量最低原則和洪特規(guī)則是電子在原子軌道中排列必須遵循的三個(gè)基本原則�！�
10．Na原子中11個(gè)電子的填充方式為1s22s22p53s2。1s22s22p63s1×
11．按照方框圖，N原子中5個(gè)價(jià)電子的填充方式為2s 2p ×
12．Cu原子的價(jià)電子數(shù)是___3___個(gè)。×
13．S原子的價(jià)電子數(shù)是5個(gè)。×
14.晶體物質(zhì)的共同特點(diǎn)是都具有金屬鍵�！�
15.金屬鍵既無方向性，也無飽和性�！�
16. 共價(jià)鍵中兩個(gè)成鍵電子的自旋方向必須相反�！�
17. 元素的電負(fù)性是指元素的原子在化合物中把電子引向自己的能力�！�
18. 兩元素的電負(fù)性相等或接近，易形成離子鍵，不易形成共價(jià)鍵�！�
19. 兩元素的電負(fù)性差較大，易形成離子鍵，不易形成共價(jià)鍵�！�
20. 離子鍵的基本特點(diǎn)是以離子而不是以原子為結(jié)合單元。√
21. 范德華力既無方向性亦無飽和性，氫鍵有方向性但無飽和性�！�
22. 范德華力既無方向性亦無飽和性，氫鍵有方向性和飽和性。√
23. 絕大多數(shù)金屬均以金屬鍵方式結(jié)合，它的基本特點(diǎn)是電子共有化�！�
24．共價(jià)鍵既有飽和性又有方向性�！�
25．兩種元素電負(fù)性差值決定了混合鍵合中離子鍵的比例。√
26．范德華力包括取向力、色散力和氫鍵三種類型。×
27．原子的基本鍵合中不一定存在著電子交換。×
28．氫鍵具有方向性，但無飽和性�！�
29．三種基本鍵合的結(jié)合強(qiáng)弱順序?yàn)榻饘冁I＞離子鍵＞共價(jià)鍵。×
30．金屬鍵是由眾多原子最（及次）外層電子釋放而形成的電子氣形成的，因而具有最高的鍵能�！�
31．隨著兩個(gè)原子間距離減小，相互間的吸引力下降，排斥力增加。×
32．兩個(gè)原子處于平衡間距時(shí)，鍵能最大，能量最高�！�
33．同一周期中，原子共價(jià)半徑隨價(jià)電子數(shù)的增加而增加�！� (C-0.771, N-0.70, O-0.66, F-0.64)
34．同一族中，原子共價(jià)半徑隨價(jià)電子到原子核的距離增加而減小�！�
35．正離子的半徑隨離子價(jià)數(shù)的增加而減小�！�
36. 原子半徑大小與其在晶體中配位數(shù)無關(guān)。 ×
37. 所謂原子間的平衡距離或原子的平衡位置是吸引力與排斥力的合力最小的位置�！�
38. 共價(jià)鍵是由兩個(gè)或多個(gè)電負(fù)性相差不大的原子間通過共用電子對(duì)而形成的化學(xué)鍵。 ×（只能是兩個(gè)原子間）
39．離子化合物的配位數(shù)取決于離子最有效的堆積�！�
40．在氧化物中，O2-的配位數(shù)主要有4、6、12三種類型�！�
41．金屬原子的配位數(shù)越大，近鄰的原子數(shù)越多，相互作用越強(qiáng)，原子半徑越小�！�
42．金屬原子半徑隨配位數(shù)增加而增加�！�
43. 金屬半徑是原子間平衡間距的一半。（A）√，（B）×，（C），（D）
A
44．當(dāng)中心原子的雜化軌道為sp3dx2時(shí)，其配位原子的空間排列為
（A）四方錐形（B）三方雙錐形（C）八面體形
B
45. 原子軌道雜化形成雜化軌道后，其軌道數(shù)目、空間分布和能級(jí)狀態(tài)均發(fā)生改變�！�
46. 雜化軌道是原子不同軌道線性組合后的新原子軌道，而分子軌道則是不同原子軌道線性組合成的新軌
道�！�
47．δ軌道是由兩個(gè)d軌道線性組合而成，它們是
（A）dx2、dx2（B）dx2-y2、dx2-y2（C）dxy、dxy
B
48．費(fèi)米能級(jí)是對(duì)金屬中自由電子能級(jí)填充狀態(tài)的描述�！� （T＝0K時(shí)）
49．費(fèi)米能級(jí)是，在T＝0K時(shí)，金屬原子中電子被填充的最高能級(jí)，以下能級(jí)全滿，以上能級(jí)全空。√× ×
50．按照費(fèi)米分布函數(shù)，T≠0時(shí)，-------------，f（E）＝1/2（A）E＝EF（B）E＜EF（C）E＞EF
A
51．在固體的能帶理論中，能帶中最高能級(jí)與最低能級(jí)的能量差值即帶寬，取決于聚集的原子數(shù)目�！�
52．能帶是許多原子聚集體中，由許多原子軌道組成的近似連續(xù)的能級(jí)帶�！粒ㄔ榆壍懒逊值姆肿榆壍溃�
53. 價(jià)帶未填滿
�。ˋ）絕緣體，（B）導(dǎo)體，（C）半導(dǎo)體，（D）
B
54. 滿帶與空帶重疊
�。ˋ）絕緣體，（B）半導(dǎo)體，（C）導(dǎo)體，（D）
C
55. 滿帶與空帶不重疊
�。ˋ）絕緣體，（B）導(dǎo)體，（C）半導(dǎo)體，（D）
A，C
56. 能帶寬度與原子數(shù)目無關(guān)，僅取決于原子間距，間距大，帶寬大。
�。ˋ）√，（B）×，（C），（D）
B
57. 原子數(shù)目越多，分裂成的能帶寬度越大。
（A）√，（B）×，（C），（D）
B
58. 能帶寬度與原子數(shù)目無關(guān)，僅取決于原子間距，間距小，帶寬大。
�。ˋ）√，（B）×，（C），（D）
A
59. 具有一定有序結(jié)構(gòu)的固態(tài)物質(zhì)就是晶體。 ×
60. 同一晶面族的晶面形狀相同,面上原子密度相同，彼此相互平行。 ×
61. 在實(shí)際應(yīng)用的工業(yè)金屬中都存在各向異性。 ×
62. 空間點(diǎn)陣相同的晶體，它們的晶體結(jié)構(gòu)不一定相同�！�
63. 空間點(diǎn)陣有１４種，它們每個(gè)點(diǎn)陣都代表一個(gè)原子。×
64. 如果空間點(diǎn)陣中的每一個(gè)陣點(diǎn)只代表一個(gè)原子時(shí)，則空間點(diǎn)陣與晶體點(diǎn)陣是同一概念�！�
65. 由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)的過程稱為凝固亦稱結(jié)晶。 ×
66. 在立方晶系中點(diǎn)陣（晶格）常數(shù)通常是指____。
a) 最近的原子間距, （B） 晶胞棱邊的長度, （C）棱邊之間的夾角
B
67. 空間點(diǎn)陣中每個(gè)陣點(diǎn)周圍具有等同的環(huán)境。 √
68. 空間點(diǎn)陣只可能有____種型式。
�。ˋ）12，（B）14，（C）16，（D）18
B
69. 空間點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中只可能劃分出____個(gè)晶系。
（A）5，（B）6，（C）7，（D）8
C
70. 晶格常數(shù)常用____表示。
�。ˋ）a,b,c；（B）α,β,γ；（C）a,b,c和α,β,γ；（D）都不是
C
71. 晶胞中原子占有的體積分?jǐn)?shù)稱為 ____。
�。ˋ）配位數(shù)，（B）致密度，（C）點(diǎn)陣常數(shù)，（D）晶格常數(shù) B
72. fcc密排面的堆垛順序是___。
�。ˋ）A BA B，（B）A BCD，（C）A BCA
C
73. fcc結(jié)構(gòu)的致密度為___。
�。ˋ）0.62，（B）0.68，（C）0.74，（D）0.82
C
74. fcc結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是___。
�。ˋ）6，（B）8，（C）10，（D）12
D
75. fcc晶胞中原子數(shù)為___。
�。ˋ）6，（B）4，（C）3，（D）2
B
76. fcc晶胞中原子的半徑是____。
�。ˋ）21/2 a / 2， （B）21/2 a / 4， （C）31/2 a / 2， （D）31/2 a / 4
B
77. 以原子半徑R為單位，fcc晶體的點(diǎn)陣常數(shù)a是____。
�。ˋ）2 (2)1/2 R， （B）4 (2)1/2 R， （C）4 (3)1/2 R， （D）4 (3)1/2 R / 3
A
78. bcc結(jié)構(gòu)的致密度為___。
�。ˋ）0.62，（B）0.68，（C）0.74，（D）0.82
B
79. bcc結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是___。
（A）6，（B）8，（C）10，（D）12
B
80. bcc晶胞中原子數(shù)為___。
�。ˋ）6，（B）4，（C）3，（D）2
D
81. bcc晶胞中原子的半徑是___。
（A）21/2 a / 2， （B）21/2 a / 4， （C）31/2 a / 4， （D）31/2 a / 2
C
82. 以原子半徑R為單位，bcc晶體的點(diǎn)陣常數(shù)a是___。
（A）2 (2)1/2 R， （B）4 (2)1/2 R， （C）4 (3)1/2 R/2， （D）4 R / (3)1/2
D
83. hcp密排面的堆垛順序是___。
（A）A BA B，（B）A BCD，（C）A BCA
A
84. hcp結(jié)構(gòu)的致密度為___。
�。ˋ）0.82，（B）0.74，（C）0.68，（D）0.62
B
85. hcp 結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是___。
�。ˋ）12，（B）10，（C）8，（D）6
A
86. hcp晶胞中原子數(shù)為____。
�。ˋ）3，（B）4，（C）5，（D）6
D
87. 在體心立方晶胞中，體心原子的坐標(biāo)是____。
�。ˋ）1/2，1/2，0；（B）1/2，0，1/2； （C）1/2，1/2，1/2；（D）0，1/2，1/2
C
88. 在fcc晶胞中，八面體間隙中心的坐標(biāo)是____。
（A）1/2，1/2，0；（B）1/2，0，1/2； （C）0，1/2，1/2；（D）1/2，1/2，1/2
D
89. 每個(gè)面心立方晶胞有１４個(gè)原子。 ×
90. 密排六方晶胞共有十七個(gè)原子�！�
91. 下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞，其中ABC面的指數(shù)是____。
�。ˋ）（111），（B）（110），（C）（101），（D）（011）
C
92. 下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞，其中ABCD面的指數(shù)是____。
�。ˋ）（111），（B）（110），（C）（101），（D）（011）
C
93. 下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞，AD的晶向指數(shù)是____。
�。ˋ），（B）[110]，（C）[101]，（D）[011]
A
94. 下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞，A B的晶向指數(shù)是____。
�。ˋ）[111]，（B）[100]，（C） ，（D）[001]
C
95. 下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞，A C的晶向指數(shù)是____。
�。ˋ）[111]，（B）[110]，（C）[101]，（D）[010]
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