CRRES衛(wèi)星內(nèi)部充電的模擬計(jì)算與驗(yàn)證

基于Geant 4軟件建立一種用于計(jì)算航天器內(nèi)部充電所產(chǎn)生電場(chǎng)的方法.分析載有IDM儀器的CRRES衛(wèi)星當(dāng)時(shí)所處的空間電子環(huán)境,使用該方法進(jìn)行內(nèi)部充電模擬,并將模擬結(jié)果與IDM儀器所測(cè)得的放電脈沖數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比,不僅驗(yàn)證了該方法的有效性,更重要的是深入認(rèn)識(shí)了引起航天器內(nèi)部充電的空間環(huán)境特征以及材料特性對(duì)充放電效應(yīng)的影響.介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)的模擬計(jì)算結(jié)果與CRRES衛(wèi)星實(shí)際觀測(cè)到的放電現(xiàn)象吻合;在材料的各項(xiàng)參數(shù)中,與輻射感應(yīng)電導(dǎo)率有關(guān)的kp系數(shù)對(duì)穩(wěn)態(tài)電場(chǎng)有很大影響,為了定量研究?jī)?nèi)部充電效應(yīng),需要在實(shí)驗(yàn)室精確地測(cè)定kp系數(shù);材料的暗電導(dǎo)率、密度以及材料的分子構(gòu)成等也與內(nèi)部充電效應(yīng)有關(guān),對(duì)這些參數(shù)細(xì)致地研究有助于對(duì)內(nèi)部充電效應(yīng)的認(rèn)識(shí).

作 者： 李學(xué)勝 焦維新 LI Xuesheng JIAO Weixin   作者單位： 北京大學(xué)地球與空間科學(xué)學(xué)院空間物理與應(yīng)用技術(shù)研究所,北京,100871  刊 名： 空間科學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SPACE SCIENCE  年，卷(期)： 2007 27(4)  分類號(hào)： P353  關(guān)鍵詞： 航天器內(nèi)部充電   Geant 4軟件   CRRES/IDM  

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