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Ag納米顆粒對富Ag二氧化硅薄膜電致發(fā)光譜的影響
摘要:利用磁控濺射和熱退火在硅襯底上制備了Ag納米顆粒鑲嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶ Ag),制作了電致發(fā)光結(jié)構(gòu)ITO/SiO2∶Ag/p-Si,觀測到了可見區(qū)的電致發(fā)光.發(fā)現(xiàn)薄膜中的Ag納米顆粒不僅成倍地提高器件的發(fā)光強度,還明顯地移動電致發(fā)光的峰位.Ag含量越高,顆粒越大,發(fā)光峰位越紅移.氧化硅中的發(fā)光中心與納米Ag間的電磁相互作用,可用來定性解釋這一實驗結(jié)果.這種效應(yīng)可把低效發(fā)光的材料轉(zhuǎn)換為相對高效的發(fā)光材料. 作者: 冉廣照文杰尤力平徐萬勁 Author: RAN Guang-zhao WEN Jie YOU Li-ping XU Wan-jin 作者單位: 人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室,北京大學(xué)物理學(xué)院,北京100871 期 刊: 光譜學(xué)與光譜分析 ISTICEISCIPKU Journal: Spectroscopy and Spectral Analysis 年,卷(期): 2011, 31(9) 分類號: O482.3 關(guān)鍵詞: 電致發(fā)光 Ag納米顆粒 局域表面等離激元 機標(biāo)分類號: O43 TN2 機標(biāo)關(guān)鍵詞: 納米顆粒 二氧化硅薄膜 電致發(fā)光譜 電磁相互作用 實驗結(jié)果 發(fā)光中心 發(fā)光強度 發(fā)光結(jié)構(gòu) 發(fā)光峰位 發(fā)光材料 定性解釋 磁控濺射 SiO2 熱退火 硅襯底 轉(zhuǎn)換 制作 制備 移動 效應(yīng) 基金項目: 國家自然科學(xué)基金,國家(973計劃)項目【Ag納米顆粒對富Ag二氧化硅薄膜電致發(fā)光譜的影響】相關(guān)文章:
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