垂直堆垛InAs量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)

垂直堆跺InAs量子點(diǎn)是用分子束外延(MBE),通過(guò)Stranski-Krastanov(S-K)方式生長(zhǎng).利用光致發(fā)光(PL)實(shí)驗(yàn)對(duì)InAs量子點(diǎn)進(jìn)行了表征.在生長(zhǎng)過(guò)程中使用對(duì)形狀尺寸控制的方式來(lái)提高垂直堆垛InAs量子點(diǎn)形貌均勻性.樣品的外延結(jié)構(gòu)是Si摻雜GaAs襯底生長(zhǎng)500nm的過(guò)渡層,500nm的GaAs外延層,15nm的Al0.5Ga0.5As勢(shì)壘外延層,5個(gè)周期的InAs量子點(diǎn)生長(zhǎng)后2單層GaAs的外延結(jié)構(gòu),50 nh的Al0.5Ga0.5As勢(shì)壘外延層,最后是15 m的GaAs覆蓋層.外延結(jié)構(gòu)中Al0.5Ga0.5As勢(shì)壘外延層對(duì)鑲嵌在里面的InAs量子點(diǎn)有很強(qiáng)的量子限制作用產(chǎn)生量子效應(yīng).PL測(cè)量系統(tǒng)使用514.5 nn的缸離子激發(fā)源.發(fā)現(xiàn)了量子點(diǎn)基態(tài)光致發(fā)光峰等距離向紅外方向劈裂等新的物理現(xiàn)象.利用光致發(fā)光通過(guò)改變勢(shì)壘的寬度和摻雜情況,研究了外延結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光特性,得到二維電子氣(2DEG)隨勢(shì)能變化局域化加強(qiáng)等的新結(jié)果.

作 者： 李樹瑋 小池一步   作者單位： 李樹瑋(中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣東,廣州,510275)

小池一步(大阪工業(yè)大學(xué)新材料研究中心,大阪旭區(qū)大宮,535-8585,日本) 

刊 名： 中國(guó)激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2004 31(z1)  分類號(hào)： O472+.3  關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體材料   光致發(fā)光   垂直堆垛的InAs量子點(diǎn)   分子束外延(MBE)  

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