離子轟擊對準直碳納米管生長的影響

利用負偏壓增強熱絲化學氣相沉積系統(tǒng),在輝光放電的情況下制備出準直碳納米管,并用掃描電子顯微鏡研究了不同負偏壓對準直碳納米管生長的影響.結(jié)果表明隨著負偏壓的增大,準直碳納米管的平均直徑減小,平均長度增大.由于輝光放電的產(chǎn)生,在襯底表面附近形成陰極鞘層,以及在陰極鞘層內(nèi)形成大量的離子和在襯底表面附近形成很強的電場導致了離子對襯底表面的強烈轟擊.最后,分析和討論了離子的轟擊對準直碳納米管生長的影響.

作 者： 黨純 王必本   作者單位： 黨純(淮陰工學院計算科學系,淮安,223001)

王必本(北京工業(yè)大學應用數(shù)理學院,北京,100022) 

刊 名： 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2004 33(1)  分類號： O782  關(guān)鍵詞： 準直碳納米管   離子轟擊   負偏壓  

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