Rb摻雜C60單晶的相衍變和電子態(tài)

在C60單晶超高真空解理面上制備C60的Rb填隙化合物薄膜.用同步輻射光電子能譜研究了相衍變過程.觀察到對應(yīng)于固溶相、Rb1C60和Rb3C60的電子態(tài)密度分布.當(dāng)數(shù)納米厚Rb3C60薄膜在C60單晶(111)解理面形成后,室溫條件下進一步沉積Rb至樣品表面不產(chǎn)生fcc到bct或bcc結(jié)構(gòu)相變.C60分子的大尺寸提供了表面填隙位置使得樣品表面形成Rb4C60和Rb5C60吸附相.價帶電子能譜結(jié)果表明這兩種表面相為金屬性.Rb 3d芯態(tài)電子能譜測量進一步證實了表面Rb4C60和Rb5C60吸附相的存在.

作 者： 李宏年   作者單位： 浙江大學(xué)物理系,杭州,310027  刊 名： 物理學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2004 53(1)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： 金屬性Rb4C60和Rb5C60吸附相   C60單晶   相衍變   同步輻射光電子能譜  

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