電化學方法制備Si陣列微孔的工藝研究

對用電化學方法制備Si大孔陣列管坑工藝進行了初步探索. 通過對Si在KOH溶液中各向異性濕法蝕刻和在HF酸溶液中的電化學蝕刻過程中各種參數(shù)的摸索,確定在室溫下制備大孔陣列的最佳配比濃度,蝕刻出符合要求的管坑陣列,為進一步制備結構化閃爍屏奠定了實驗基礎.

作 者： 薛智浩 孫友梅 常海龍 劉杰 侯明東 姚會軍 莫丹 陳艷峰 XUE Zhi-hao SUN You-mei CHANG Hai-long LIU Jie HOU Ming-dong YAO Hui-jun MO Dan CHENYan-feng   作者單位： 薛智浩,姚會軍,莫丹,陳艷峰,XUE Zhi-hao,YAO Hui-jun,MO Dan,CHENYan-feng(中國科學院近代物理研究所,甘肅,蘭州,730000;中國科學院研究生院,北京,100049)

孫友梅,常海龍,劉杰,侯明東,SUN You-mei,CHANG Hai-long,LIU Jie,HOU Ming-dong(中國科學院近代物理研究所,甘肅,蘭州,730000) 

刊 名： 原子核物理評論  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW  年，卷(期)： 2008 25(3)  分類號： O646  關鍵詞： 各向異性蝕刻   微孔陣列   電化學蝕刻  

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