紅外InGaAs/InP單光子探測(cè)器的溫度特性研究

分析了SAGM-APD單光子探測(cè)器暗電流產(chǎn)生的機(jī)理;得出工作溫度和偏置電壓是影響SAGM InGaAs/InP單光子探測(cè)器探測(cè)性能的重要因素.通過(guò)實(shí)驗(yàn),分析了三種APD在不同溫度下暗電流、光電流與偏置電壓的關(guān)系曲線,得出一些結(jié)論.

作 者： 李水峰 熊予瑩 王晗 曾思明 廖�？� LI Shui-feng XIONG Yu-ying WANG Han ZENG Si-ming LIAO Chang-jun   作者單位： 李水峰,王晗,曾思明,LI Shui-feng,WANG Han,ZENG Si-ming(廣東工業(yè)大學(xué)實(shí)驗(yàn)教學(xué)部,廣東,廣州,510006)

熊予瑩,XIONG Yu-ying(華南師范大學(xué)物理與電信工程學(xué)院,廣東,廣州,510006)

廖常俊,LIAO Chang-jun(華南師范大學(xué)信息光電子科技學(xué)院,廣東,廣州,510006) 

刊 名： 量子光學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SINICA QUANTUM OPTICA  年，卷(期)： 2008 14(3)  分類號(hào)： O431  關(guān)鍵詞： 量子光學(xué)   單光子探測(cè)器   雪崩光電二極管   光電流   暗電流  

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