超薄膜生長的Monte Carlo模擬研究

利用Monte Carlo(MC)方法模擬研究了薄膜生長的初始階段島的形貌和島的尺寸與基底溫度和入射粒子剩余能量之間的關(guān)系.模型中考慮了粒子的沉積、吸附粒子的擴散和蒸發(fā)等過程.結(jié)果表明當基底溫度從200K變化到260K時,島的形貌經(jīng)歷了一個從分散生長逐漸過渡到分形生長的過程,并且在較低溫度(200K)下,隨入射粒子剩余能量的增加,島的形貌也經(jīng)歷了同樣的變化過程.進一步研究證明,隨著基底溫度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉積粒子的擴散能力顯著增強,從而使島的形貌發(fā)生了改變.

作 者： 譚天亞 李春梅 蘇宇 徐廣文 吳煒 郭永新 TAN Tian-Ya LI Chun-Mei SU Yu XU Guang-Wen WU Wei GUO Yong-Xin   作者單位： 遼寧大學物理學院沈陽市光電子功能器件與檢測技術(shù)重點實驗室,沈陽,110036  刊 名： 原子與分子物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2008 25(1)  分類號： O484.1  關(guān)鍵詞： Monte Carlo模擬   薄膜生長   基底溫度   入射粒子剩余能量  

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