脈沖腐蝕法制備的多孔硅對(duì)乙醇?xì)怏w的響應(yīng)

采用電化學(xué)脈沖腐蝕法,在P型單晶硅片上制備了多孔硅(Porous Silicon,PS).以制備的多孔硅為傳感元件,利用電感耦合器件(CCD)記錄了乙醇蒸汽的反射干涉圖.反射光譜經(jīng)IGOR軟件進(jìn)行傅里葉變換后,得到多孔硅的光學(xué)厚度值,并以此為依據(jù)探討多孔硅對(duì)乙醇蒸汽的傳感特性.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)PS膜暴露于乙醇蒸汽中時(shí),反射譜吸收峰位發(fā)生紅移,相應(yīng)的光學(xué)厚度也發(fā)生紅移;當(dāng)乙醇?xì)怏w體積分?jǐn)?shù)大于500×10-6時(shí),PS的光學(xué)厚度急劇增大.

作 者： 黎學(xué)明 楊金瑞 楊根嶺 LI Xue-ming YANG Jin-rui YANG Gen-ling   作者單位： 重慶大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,重慶,400030  刊 名： 重慶工學(xué)院學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版）  ISTIC 英文刊名： JOURNAL OF CHONGQING INSTITUTE OF TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2009 23(8)  分類號(hào)：   關(guān)鍵詞： 多孔硅   法布里-珀羅干涉   脈沖腐蝕   光學(xué)厚度   傳感  

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