片光法構(gòu)造缺陷態(tài)光折變光子晶格

實(shí)驗(yàn)上利用四孔的掩膜和柱透鏡成功的在LN晶體中構(gòu)造了不同類型的缺陷態(tài)光折變光子晶格,發(fā)現(xiàn)當(dāng)缺陷的寫入角度與c軸垂直時(shí),寫入的缺陷最好,平行時(shí)最差,并描繪了折射率隨時(shí)間變化曲線,發(fā)現(xiàn)寫入時(shí)間為40分鐘時(shí)為最佳寫入時(shí)間.推導(dǎo)了四孔掩膜的電磁場(chǎng)分布并在理論上模擬了四孔掩膜和柱透鏡的空間光場(chǎng)分布,驗(yàn)證了此方法的可行性,這對(duì)缺陷態(tài)光子晶格的研究和應(yīng)用有一定的意義.

作 者： 付存寶 楊立森 何冬梅 張寶光 張?zhí)m根 張印 FU Cun-bao YANG Li-sen HE Dong-mei ZHANG Bao-guang ZHANG Lan-gen ZHANG Yin   作者單位： 內(nèi)蒙古師范大學(xué),物理與電子信息學(xué)院,呼和浩特,010022  刊 名： 信息記錄材料  ISTIC 英文刊名： INFORMATION RECORDING MATERIALS  年，卷(期)： 2009 10(6)  分類號(hào)： O434.19  關(guān)鍵詞： 片光法   LN晶體   光子晶格   缺陷  

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