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直流磁控濺射法制備TiO2薄膜的研究
論術(shù)采用直流磁控濺射法制備TiO2薄膜的實驗研究. 研究了氧流量、基片溫度對制備TiO2薄膜的影響, 并測量了薄膜的晶相結(jié)構(gòu)和表面形貌, 結(jié)果表明制備出了具有銳鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的TiO2薄膜.
作 者: 劉子麗 肖峻 蔣向東 孫繼偉 LIU Zi-li XIAO Jun JIANG Xiang-dong SUN Ji-wei 作者單位: 劉子麗,肖峻,LIU Zi-li,XIAO Jun(西南民族大學電氣信息工程學院,成都,610041)蔣向東,孫繼偉,JIANG Xiang-dong,SUN Ji-wei(電子科技大學光電信息學院,成都,610054)
刊 名: 西南民族大學學報(自然科學版) ISTIC 英文刊名: JOURNAL OF SOUTHWEST UNIVERSITY FOR NATIONALITIES(NATRUAL SCIENCE EDITION) 年,卷(期): 2009 35(6) 分類號: O48 關(guān)鍵詞: TiO2薄膜 直流磁控濺射 氧流量 基片溫度【直流磁控濺射法制備TiO2薄膜的研究】相關(guān)文章:
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