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電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積a-CFx薄膜的化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)

時(shí)間:2023-05-01 16:50:55 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積a-CFx薄膜的化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)

使用CHF3和C6H6混合氣體做氣源,在一個(gè)電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中制備了氟化非晶碳(a-CFx)薄膜。利用發(fā)射光譜研究了等離子體中形成的各種碳-氟、碳-氫基團(tuán)隨放電宏觀參量的變化規(guī)律,對(duì)薄膜做了傅里葉變換紅外光譜和X射線光電子能譜分析,證實(shí)等離子體中的CF2,CF和CH基團(tuán)是控制薄膜生長(zhǎng)、碳/氟成分比和化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)的主要前驅(qū)物。

電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積a-CFx薄膜的化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)

作 者: 寧兆元 程珊華 葉超 NING Zhao-yuan Cheng Shan-Hua Ye Chao   作者單位: 蘇州大學(xué)物理系,  刊 名: 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA  年,卷(期): 2001 50(3)  分類號(hào): O4  關(guān)鍵詞: 氟化非晶碳薄膜   電子回旋共振等離子體  

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