LGS晶體的化學(xué)腐蝕及缺陷分布

采用提拉法生長(zhǎng)得到LGS單晶,采用磷酸作腐蝕劑,對(duì)LGS晶體做了一系列腐蝕實(shí)驗(yàn).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:對(duì)于不同方向晶面,腐蝕液的配比和腐蝕時(shí)間等條件各不相同.根據(jù)腐蝕坑可以判定.其極軸是二次軸[1120]方向,并可具體確定極軸方向.關(guān)于腐蝕坑的分布可以判定,在現(xiàn)行條件下生長(zhǎng)的晶體具有較高的質(zhì)量.

作 者： 黃慶捷 孔海寬 李軍 高磊 葛文偉 張懷金 胡小波 江懷東 王繼揚(yáng)   作者單位： 黃慶捷,孔海寬,高磊,葛文偉,張懷金,胡小波,江懷東,王繼揚(yáng)(山東大學(xué),晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山東,濟(jì)南,250100)

李軍(山東中晶光電子公司,山東,濟(jì)南,250100) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2003 34(2)  分類號(hào)： O738 O77 O78  關(guān)鍵詞： La3Ga5SiO14   化學(xué)腐蝕   缺陷   提拉法  

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