靜電放電次數(shù)與半導(dǎo)體器件潛在性失效的關(guān)系

為研究硅雙極晶體管中由ESD注入引起的潛在性失效與放電次數(shù)間的關(guān)系,對微波低噪聲小功率硅雙極器件進(jìn)行了同一電壓不同次數(shù)的人體模型ESD注入實驗.注入電壓為1.50 kV.注入管腳為器件對ESD最敏感的端對.器件分組注入不同次數(shù)的ESD后,將注入和未注入過ESD的器件同時進(jìn)行加速壽命實驗.通過比較各組器件損傷率的大小來反映器件使用壽命的變化.經(jīng)統(tǒng)計分析與計算發(fā)現(xiàn):開始時,隨放電次數(shù)的增加,器件出現(xiàn)潛在性失效的概率增大,當(dāng)概率達(dá)到一定極限值后,又會隨放電次數(shù)的增大而減小,說明ESD的注入不僅可能在部分硅器件內(nèi)部造成潛在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.

作 者： 楊潔 劉尚合 劉紅兵 祁樹鋒 YANG Jie LIU Shang-he LIU Hong-bing QI Shu-feng   作者單位： 楊潔,劉尚合,祁樹鋒,YANG Jie,LIU Shang-he,QI Shu-feng(軍械工程學(xué)院,靜電與電磁防護(hù)研究所,河北,石家莊,050003)

劉紅兵,LIU Hong-bing(中國電子科技集團(tuán)公司,第十三研究所,河北,石家莊,050000) 

刊 名： 河北大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2007 27(6)  分類號： O441  關(guān)鍵詞： 硅雙極晶體管   靜電放電   潛在性失效   注入次數(shù)   微波低噪聲小功率   加速壽命實驗  

【靜電放電次數(shù)與半導(dǎo)體器件潛在性失效的關(guān)系】相關(guān)文章：

空氣放電模式下靜電放電模擬器瞬態(tài)電流峰值與上升時間的關(guān)系04-27

潛在創(chuàng)造性與創(chuàng)造性實踐04-28

衛(wèi)星天線及微波器件大功率微放電試驗技術(shù)04-28

無失效數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)展04-27

機(jī)械活化黃鐵礦的活性與失效性04-29

小學(xué)語文閱讀教學(xué)失效性探微04-26

穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)X射線輻照引起的互補性金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件劑量增強效應(yīng)研究04-28

紅外地球敏感器地面靜電放電模擬試驗方法研究04-27

油庫靜電危險性分析及防護(hù)04-26

電子元器件質(zhì)量一致性檢驗07-24