熱絲CVD金剛石薄膜制備及碳納米管形核作用的研究

利用熱絲化學(xué)氣相沉積法(HF-CVD)進(jìn)行了金剛石薄膜制備和碳納米管形核作用的研究.獲得了制備金剛石薄膜的優(yōu)化工藝參數(shù).利用碳納米管作為形核前驅(qū)獲得了高質(zhì)量的金剛石薄膜,其沉積速率可達(dá)2.5 μm/h,晶粒生長完美,而且沒有出現(xiàn)聚晶現(xiàn)象.研究了碳納米管涂料質(zhì)量對薄膜沉積特性的影響,并對其機(jī)理進(jìn)行了初步探討.

作 者： 侯亞奇 莊大明 張弓 吳敏生 劉家浚   作者單位： 清華大學(xué)機(jī)械工程系,北京,100084  刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(1)  分類號： O484.1  關(guān)鍵詞： 金剛石薄膜   熱絲化學(xué)氣相沉積   碳納米管   形核前驅(qū)  

【熱絲CVD金剛石薄膜制備及碳納米管形核作用的研究】相關(guān)文章：

CVD摻硫金剛石薄膜的應(yīng)力研究04-26

AP-CVD法制備的二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)及親水性研究04-26

類金剛石薄膜的紫外輻照研究04-27

高導(dǎo)電聚苯胺薄膜的制備及其電磁屏蔽性能的研究04-26

磁控濺射法制備氮化碳薄膜的研究進(jìn)展04-27

脈沖工藝在薄膜制備中的應(yīng)用04-26

納米ZnO薄膜制備及液態(tài)源摻雜04-27

金剛石/銀復(fù)合材料:制備、電泳沉積及場發(fā)射性能研究04-27

感光薄膜與二維Bragg光柵制備04-27

盾殼霉對核盤菌的拮抗作用研究04-27