GaAs與InP半導體光導開關特性實驗研究

利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)及其摻雜材料制作的光導開關具有很好的時間響應及高功率輸出特性.比較了這兩種材料制作的不同電極間隙類型的光導開關的開關時間響應速度、導通光能與飽和觸發(fā)激光能量、線性與非線性工作模式及觸發(fā)穩(wěn)定性等特性.結(jié)果表明,利用InP和GaAs兩種材料制作的光導開關都具有達到皮秒級的超快時間響應,其對時間最佳響應與偏置電場有關.兩種開關的多次觸發(fā)時間抖動在幾個皮秒范圍,輸出電壓峰峰值抖動優(yōu)于10%.GaAs開關的非線性工作電場閾值比InP開關低,更容易實現(xiàn)非線性輸出.

作 者： 阮馳 趙衛(wèi) 陳國夫 朱少嵐 楊宏春 阮成禮 RUAN Chi ZHAO Wei CHEN Guo-fu ZHU Shao-lan YANG Hong-chun RUAN Cheng-li   作者單位： 阮馳,趙衛(wèi),陳國夫,朱少嵐,RUAN Chi,ZHAO Wei,CHEN Guo-fu,ZHU Shao-lan(中國科學院西安光學精密機械研究所,瞬態(tài)光學與光子技術國家重點實驗室,西安,710119)

楊宏春,阮成禮,YANG Hong-chun,RUAN Cheng-li(電子科技大學,物理電子學院,成都,610054) 

刊 名： 光子學報  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA PHOTONICA SINICA  年，卷(期)： 2007 36(3)  分類號： O472  關鍵詞： 光導開關   砷化鎵   磷化銦   化合物半導體  

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