憶阻模型的推廣及應(yīng)用

2008年Nature~([1])發(fā)表了專題評(píng)述-"The Missing Memristor Found",對Leon Chua教授所提出的"憶阻元件"~([2])的存在予以了明確證明.論文指出,根據(jù)對稱性原理,目前存在的三種基本電子元件(電阻、電容、電感)并不能完全涵蓋電流、電壓、電量以及磁場之間的關(guān)系,必須補(bǔ)充上一個(gè)憶阻元件(Memristor:memory resistor)才能使其對稱性完備.而憶阻是聯(lián)系磁通量與電量關(guān)系的物理量,憶阻值的變化與元件中電荷的遷移與重新分布有關(guān).只有在電荷流為線性條件下,憶阻與電阻才是等價(jià)的.

作 者： 夏廣杰 徐博磊 宣哲 陳露洪 畢樹平   作者單位： 南京大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,南京,210093  刊 名： 分析化學(xué)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY  年，卷(期)： 2009 37(z1)  分類號(hào)： O65  關(guān)鍵詞：  

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