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V2O5復合薄膜材料的電子結構研究

時間:2023-04-27 08:42:18 數(shù)理化學論文 我要投稿
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V2O5復合薄膜材料的電子結構研究

采用自洽場離散變分Xα方法對純V2O5及V2O5復合薄膜不同狀態(tài)的O1s及V2p軌道電子結合能和鍵強度等進行了研究. 結果表明, V2O5結構中存在4種狀態(tài)的氧和3種狀態(tài)的釩, 聚合物(PEO)或聚合物(PEO)-Li+嵌入V2O5結構主要存在于層間的位置, 與雙鍵氧產生弱的鍵合作用, 導致雙鍵氧與五價釩的含量降低, 三鍵氧與三價、四價釩的含量增加;純V2O5層間嵌入的Li+與周圍氧的共價鍵與靜電力都非常明顯, V2O5層間引入PEO后再嵌入Li+, Li+與周圍氧的共價鍵與靜電力都變的非常微弱, 說明PEO嵌入V2O5層間使Li+具有很好的注入/脫出可逆性.

V2O5復合薄膜材料的電子結構研究

作 者: 周靜 陳文 徐慶 閔新民   作者單位: 周靜(武漢理工大學材料科學與工程學院,武漢,430070)

陳文,徐慶(武漢理工大學材料科學與工程學院,武漢,430070;武漢理工大學材料復合新技術國家重點實驗室,武漢,430070)

閔新民(武漢理工大學材料復合新技術國家重點實驗室,武漢,430070) 

刊 名: 硅酸鹽學報  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年,卷(期): 2002 30(2)  分類號: O641  關鍵詞: 五氧化二釩   復合薄膜   結合能   鍵強度   電子結構  

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