用脈沖電化學(xué)法在低HF濃度下制備多孔硅的研究

用脈沖電化學(xué)陽(yáng)極氧化的方法在5%的低HF濃度下獲得多孔硅.多孔硅的形成和脈沖電場(chǎng)的施加、去除過程中與電解液-硅半導(dǎo)體體系中物理化學(xué)過程的變化有關(guān).在施加電場(chǎng)的間隙,由于Si/電解液界面處HF的補(bǔ)充,SiO2的溶解增強(qiáng),使得在低HF濃度下Si的溶解速率比其氧化速率高,從而導(dǎo)致多孔硅的形成.同時(shí),在高電場(chǎng)作用下,由于產(chǎn)生了高濃度的空穴,使得氧化層變厚,導(dǎo)致在低HF濃度或大電流密度下多孔硅的平均孔徑增大.

作 者： 葉超 寧兆元 程珊華   作者單位： 蘇州大學(xué)物理系,江蘇,蘇州,215006  刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(2)  分類號(hào)： O649  關(guān)鍵詞： 多孔硅   脈沖電化學(xué)腐蝕   低HF濃度  

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