類金剛石薄膜的紫外輻照研究

對射頻等離子體方法制備的類金剛石(以下簡稱DLC)薄膜樣品進(jìn)行了紫外輻照.采用電阻率、Raman光譜及紅外光譜研究了紫外光(以下簡稱UV)輻照對DLC薄膜結(jié)構(gòu)與特性的影響.Raman光譜表明:紫外光對DLC薄膜中SPC-H鍵的破壞作用非常明顯,紅外(IR)光譜結(jié)果進(jìn)一步驗(yàn)證了這一結(jié)果.經(jīng)UV輻照后,DLC薄膜的電阻率呈變小趨勢,這說明薄膜被強(qiáng)烈氧化,最后呈現(xiàn)石墨化趨勢.

作 者： 劉貴昂 謝二慶 王天民   作者單位： 劉貴昂(湛江海洋大學(xué)基礎(chǔ)科學(xué)系,廣東,湛江,524088)

謝二慶(蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,甘肅,蘭州,730000)

王天民(北京航空航天大學(xué)理學(xué)院,北京,100083) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(5)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： 類金剛石薄膜   紫外光輻照   Raman光譜   紅外光譜   石墨化  

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