摻鑭鎢酸鉛晶體缺陷的理論研究

采用基于密度泛函理論的相對(duì)論性離散變分和嵌入團(tuán)簇方法計(jì)算了摻鑭PbWO4晶體中相對(duì)缺陷的電子態(tài)密度分布,并討論了相關(guān)缺陷的電荷補(bǔ)償機(jī)制.發(fā)現(xiàn)VPb是摻鑭鎢酸鉛晶體中主要的電荷補(bǔ)償方式.缺陷態(tài)LaPb+VPb的態(tài)密度分布以及其激發(fā)能的計(jì)算結(jié)果表明:摻鑭晶體不會(huì)引起420nm和350nm的吸收,改善了PbWO4晶體中的兩個(gè)本征吸收帶.摻雜后晶體中O2p→W5d的躍遷能量為3.98eV.

作 者： 姚明珍 顧牡   作者單位： 同濟(jì)大學(xué)物理系,上海,200092  刊 名： 人工晶體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(5)  分類號(hào)： O77  關(guān)鍵詞： La:PbWO4   密度泛函   吸收中心   態(tài)密度分布  

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