氟摻雜的氧化鋅薄膜的結構和光學特性

通過熱氧化氟化鋅(ZnF2)薄膜的方法制備出氟摻雜的多晶ZnO薄膜,ZnF2薄膜是利用電子束蒸發(fā)方法沉積在Si(100)襯底得到的.利用X射線衍射和X射線電子能譜研究了ZnF2薄膜向ZnO的轉變過程.實驗結果表明,在400℃退火30 min的條件下能夠獲得六方纖鋅礦結構的ZnO:F薄膜.對ZnO:F薄膜的室溫光致發(fā)光譜可以觀察到位于379 am、半峰全寬為73 meV的紫外發(fā)射峰,而相應于缺陷的深能級發(fā)射則完全猝滅.表明ZnO中殘留的F能夠有效地增強激子的發(fā)光,同時使缺陷發(fā)光強度明顯降低.對F摻雜對ZnO的發(fā)光性能的影響進行了討論.

作 者： 馬劍鋼 劉益春 徐海陽 駱英民 張吉英 呂有明 申德振 范希武   作者單位： 馬劍鋼,張吉英,呂有明,申德振,范希武(中國科學院長春光學精密機械與物理研究所,激發(fā)態(tài)物理重點實驗室,吉林,長春,130033)

劉益春(中國科學院長春光學精密機械與物理研究所,激發(fā)態(tài)物理重點實驗室,吉林,長春,130033;東北師范大學,先進光電子功能材料研究中心,吉林,長春,130024)

徐海陽,駱英民(東北師范大學,先進光電子功能材料研究中心,吉林,長春,130024) 

刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2004 25(5)  分類號： O472.3 O482.31  關鍵詞： ZnO:F   X射線衍射   X射線光電子能譜   光致發(fā)光  

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