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3-D C/SiC復(fù)合材料的氧化行為
研究了3-D C/SiC復(fù)合材料的氧化行為.在航空發(fā)動機(jī)燃?xì)猸h(huán)境中的實驗結(jié)果表明,C/SiC復(fù)合材料的氧化失重與材料內(nèi)部的大量孔隙以及涂層和基體中的微裂紋有關(guān),其中基體內(nèi)部的孔隙起著主要作用.在燃?xì)庵醒趸?C/SiC復(fù)合材料力學(xué)性能的降低幅度比在干燥空氣中的小,這是由于燃?xì)庵械难醴謮狠^低.
作 者： 殷小瑋 成來飛 張立同 徐永東 YIN Xiao-wei CHENG Lai-fei ZHANG Li-tong XU Yong-dong 作者單位： 西北工業(yè)大學(xué),凝固技術(shù)國家重點實驗室,陜西,西安,710072 刊 名： 航空學(xué)報 ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA AERONAUTICA ET ASTRONAUTICA SINICA 年，卷(期)： 1999 20(6) 分類號： V257 關(guān)鍵詞： 碳化硅 復(fù)合材料 燃?xì)? 氧化【3-D C/SiC復(fù)合材料的氧化行為】相關(guān)文章：
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