多路讀寫的SDRAM接口設(shè)計

摘要：介紹SDRAM的主要控制信號和基本命令時序，提出一種應(yīng)用于解復(fù)用的支持多路讀寫的SDRAM接口設(shè)計，為需要大容量存儲器的電路設(shè)計提供了新思路。

    關(guān)鍵詞：SDRAM 解復(fù)用 接口

存儲器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對于存儲器的容量和性能提出了越來越高的要求。同步動態(tài)隨機存儲器SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）因其容量大、讀寫速度快、支持突發(fā)式讀寫及相對低廉的價格而得到了廣泛的應(yīng)用。SDRAM的控制比較復(fù)雜，其接口電路設(shè)計是關(guān)鍵。

本文首先介紹SDRAM的主要控制信號和基本命令；然后介紹接口電路對SDRAM的主要操作路徑及操作過程，應(yīng)用于解復(fù)用的SDRAM接口電路的設(shè)計方法；最后給出了實現(xiàn)結(jié)果。

1 SDRAM的主要控制信號和基本命令

SDRAM的主要控制信號為：

·CS：片選使能信號，低電平有效；

·RAS：行地址選通信號，低電平有效；

·CAS：列地址選通信號，低電平有效；

·WE：寫使能信號，低電平有效。

SDRAM的基本命令及主要控制信號見表1。

表1 SDRAM基本操作及控制信號

命    令    名    稱CSRASCASWE命令禁止（NOP:Command inhibit）HXXX空操作（NOP：No operation）LHHH激活操作（ACT：Select bank and active row）LLHH讀操作（READ：Select bank and column,and start READ burst）LHLH寫操作（WRITE：Select bank and column,and start WRITE burst）LHLL

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